Interferometri a luce bianca per la misurazione dello spessore di wafer ad alta precisione
IMS5420 è un interferometro a luce bianca ad alte prestazioni per la misurazione senza contatto dello spessore di wafer di silicio monocristallino. Il controller è dotato di un diodo superluminescente a banda larga (SLED) con lunghezza d’onda di 1.100 nm che consente di misurare lo spessore di wafer SI non drogati, drogati e molto drogati con un unico sistema di misurazione. Con IMS5420 si ottiene una stabilità del segnale inferiore a 1 nm e lo spessore può essere misurato da una distanza di 24 mm.
Caratteristiche particolari
- Misurazione dello spessore precisa al nanometro di wafer non drogati, drogati e molto drogati
- Multipicco: rilevamento di fino a 5 strati con uno spessore di SI da 0,05 fino a 1,05 mm
- Alta risoluzione in asse z di 1 nm
- Velocità di misura fino a 6 kHz per misurazioni rapide
- Ethernet / EtherCAT / RS422 / PROFINET / EtherNet/IP
- Facile impostazione dei parametri tramite interfaccia web
Precisa misurazione dello spessore di wafer
Data la trasparenza ottica dei wafer in silicio nel campo di lunghezza d’onda pari a 1.100 nm, gli interferometri IMS5420 possono rilevare con precisione lo spessore. In questo campo di lunghezza d’onda sia il silicio non drogato che il wafer drogato sono dotati di sufficiente trasparenza. In tal modo è possibile rilevare lo spessore dei wafer fino a 1,05 mm, mentre quello misurabile del traferro arriva addirittura a 4 mm.
L’interferometro IMS5420 consente di misurare lo spessore di wafer di silicio non drogati, drogati e molto drogati, offrendo pertanto un’ampia gamma di applicazioni. Il sistema di misurazione di spessore di wafer è appositamente pensato per wafer di silicio monocristallino con uno spessore geometrico da 500 a 1050 µm e un drogaggio fino a 6 m Ω cm. Anche in caso di wafer molto drogati è possibile misurare spessori fino a 0,8 mm, grazie alla diminuzione della trasparenza all’aumento del drogaggio.
Misurazione dello spessore precisa durante la lappatura
Per la produzione dei wafer si ricavano dischi sottili circa 1 mm da un lingotto di silicio cristallino. Quindi, vengono rettificati e lappati per preservare lo spessore e la qualità superficiali desiderate. Per ottenere un’elevata stabilità di processo, si ricorre a interferoMETER per misurare in linea lo spessore in lappatrici e rettificatrici. Grazie alle sue dimensioni compatte, il sensore può essere integrato anche in caso di spazi angusti. I valori dello spessore vengono applicati per regolare la macchina e verificare la qualità del wafer.
| Modello | Campo di misura/Inizio intervallo di misurazione | Linearità | Numero strati misurabili | Ambiti di utilizzo |
|---|---|---|---|---|
| IMS5420-TH24 | 0,05 … 1,05 mm (se silicio, n=3,82) 0,2 … 4 mm (se aria, n=1) / ca. 24 mm con una zona di lavoro di circa 6 mm |
< ±100 nm | 1 strato | Misurazione spessore in linea, ad es. dopo rettifica o levigatura. |
| IMS5420MP-TH24 | < ±100 nm con uno strato < ±200 nm per altri strati |
fino a 5 strati | Misurazione spessore in linea, ad es. per verifica qualità dello spessore strati dopo rivestimento | |
| IMS5420/IP67-TH24 | < ±100 nm | 1 strato | Misurazione spessore in linea industriale durante lappatura o rettifica |
Moderne interfacce per l’integrazione in macchine e impianti
Il controller dispone di interfacce integrate come Ethernet, EtherCAT e RS422 e di attacchi per encoder, uscite analogiche, ingressi di sincronizzazione e I/O digitali supplementari. Con l’utilizzo dei moduli di interfaccia Micro-Epsilon sono disponibili PROFINET ed EthernetIP. Pertanto l’interferometro può essere integrato in tutti i sistemi di controllo e programmi di produzione.
